onsemi Zünd-IGBT / 41 A, 400 V 150 W, 3-Pin TO-252 N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 807-0767
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3040G2-F085
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Zünd-IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 41A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 400V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK2 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Energie | 300mJ | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Zünd-IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 41A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 400V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie EcoSPARK2 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Energie 300mJ | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor
Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.
Merkmale
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
RS-Produktcodes
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220;
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Note
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.
Standards
AEC-Q101
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