onsemi Zünd-IGBT / 21 A, 430 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.76

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 15 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
  • Zusätzlich 1’735 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.352CHF.11.78
50 - 95CHF.2.027CHF.10.15
100 - 495CHF.1.764CHF.8.81
500 - 995CHF.1.544CHF.7.74
1000 +CHF.1.407CHF.7.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
807-8758
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V3040D3ST
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Zünd-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

21A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

430V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

EcoSPARK

Automobilstandard

AEC-Q101

Energie

300mJ

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links