onsemi Zünd-IGBT / 21 A, 430 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 807-8758
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040D3ST
- Marke:
- onsemi
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| 5 - 45 | CHF.2.262 | CHF.11.33 |
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| 100 - 495 | CHF.1.697 | CHF.8.47 |
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- RS Best.-Nr.:
- 807-8758
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040D3ST
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Zünd-IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 21A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 430V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±10 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Energie | 300mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Zünd-IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 21A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 430V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±10 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Energie 300mJ | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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