IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 100 A, 1200 V 1150 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 808-0293P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYK100N120C3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 808-0293P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYK100N120C3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | Hochgeschwindigkeits-IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1150W | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 50kHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | GenX3TM | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | International Standard Packages | |
| Länge | 20.32mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1150W | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 50kHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie GenX3TM | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen International Standard Packages | ||
Länge 20.32mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT
Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.
Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.