Semikron Danfoss IGBT-Modul / 125 A ±20V max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 905-6172
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM100GB176D
- Marke:
- Semikron Danfoss
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.159.747
Auf Lager
- Zusätzlich 139 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.159.75 |
| 2 - 4 | CHF.157.67 |
| 5 - 7 | CHF.155.59 |
| 8 - 15 | CHF.153.67 |
| 16 + | CHF.151.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 905-6172
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM100GB176D
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 125 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 125 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Gehäusegröße SEMITRANS2 | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 94 x 34 x 30.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- SK
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Geliefert mit
Befestigungsteile
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 114 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 81 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 265 A ±20V max., 600 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 232 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 232 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 115 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 195 A ±20V max., 600 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal