Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V 270 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
911-4785
Herst. Teile-Nr.:
IGW40T120FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.13 x 21.1 x 5.21mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Ursprungsland:
DE

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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