Infineon Leistungshalbleiter / 30 A, 1200 V 110 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
IGW15T120FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

Leistungshalbleiter

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Energie

4.1mJ

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V

• Sehr geringer VCEsat

• Geringe Abschaltverluste

• Kurzer Endstrom

• Geringe elektromagnetische Störungen

• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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