IXYS IGBT / 164 A ±20V max., 1200 V 1040 W, 3-Pin PLUS264 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 920-1003
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYB82N120C3H1
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
- 920-1003
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYB82N120C3H1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 164 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1040 W | |
| Gehäusegröße | PLUS264 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 50kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 20.29 x 5.31 x 26.59mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 164 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1040 W | ||
Gehäusegröße PLUS264 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 50kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 20.29 x 5.31 x 26.59mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT
Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.
Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen
Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung
10 μs lange Kurzschlussauslösung
Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden
Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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