Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 760-3123
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.378 | CHF.3.76 |
| 100 - 190 | CHF.0.252 | CHF.2.52 |
| 200 - 390 | CHF.0.231 | CHF.2.28 |
| 400 + | CHF.0.221 | CHF.2.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-3123
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 0.3 to 0.75mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 10 V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | -50V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Konfiguration | Single | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-346 (SC-59) | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Breite | 1.5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom 0.3 to 0.75mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 10 V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. -50V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Konfiguration Single | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-346 (SC-59) | ||
Pinanzahl 3 | ||
Abmessungen 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Breite 1.5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
N-Kanal-JFET, Toshiba
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Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
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