Toshiba Typ N-Kanal JFET-Kanal JFET, 10 V 1.2 to 3 mA Einfach, SOT-346 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 760-3126
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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- 2SK209-Y(TE85L,F)
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | JFET | |
| Steckschlüssel Zubehör | JFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 10V | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30 V | |
| Drainstrom Ids | 1.2 to 3 mA | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1kΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 1.5 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ JFET | ||
Steckschlüssel Zubehör JFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 10V | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30 V | ||
Drainstrom Ids 1.2 to 3 mA | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1kΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 1.5 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-JFET, Toshiba
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
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