STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 151-425
- Herst. Teile-Nr.:
- STN4NF20L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*
CHF.10.10
Auf Lager
- Zusätzlich 2'640 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.505 | CHF.10.18 |
| 200 - 480 | CHF.0.485 | CHF.9.70 |
| 500 - 980 | CHF.0.444 | CHF.8.93 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.414 | CHF.8.24 |
| 2000 + | CHF.0.394 | CHF.7.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-425
- Herst. Teile-Nr.:
- STN4NF20L
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | STN | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie STN | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Power MOSFET-Serie von STMicroelectronics wurde mit dem STripFET-Prozess entwickelt, der speziell entwickelt wurde, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dadurch ist das Gerät für den Einsatz als Primärschalter in hochwirksamen isolierten DC/DC-Wandlern geeignet.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung
Verwandte Links
- STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.5 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 2.4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 400 mA 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223