STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 151-431
- Herst. Teile-Nr.:
- STF3NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 151-431
- Herst. Teile-Nr.:
- STF3NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super-MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung des bewährten Power-MESH-Layouts erreicht wurde. Zusätzlich zu einer deutlichen Reduzierung des Einschaltwiderstands wurde dieses Gerät so konzipiert, dass es ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet.
100% Avalanche-getestet
Minimierung der Gate-Ladung
Sehr geringe Eigenkapazität
Zener-geschützt
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