STMicroelectronics SuperMESH3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 151-445P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3N40K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- STN3N40K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist das Ergebnis von Verbesserungen der Super MESH-Technologie, kombiniert mit einer neuen optimierten vertikalen Struktur. Dieses Gerät verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine überlegene dynamische Leistung und eine hohe Lawinenfähigkeit, womit es für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet ist.
Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Verbesserte Dioden-Rückwärtswiederherstellungseigenschaften
Zenergeschützt