STMicroelectronics SuperMESH Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
151-447
Herst. Teile-Nr.:
STS1DNC45
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

450V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-65°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

Standardkontur für einfache automatisierte Montage an der Oberflächenmontage

Gate-Ladung minimiert

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