STMicroelectronics SuperMESH Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.4 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 151-447
- Herst. Teile-Nr.:
- STS1DNC45
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.14.54
Wird eingestellt
- Letzte 5'930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.454 | CHF.14.54 |
| 100 - 240 | CHF.1.384 | CHF.13.82 |
| 250 - 490 | CHF.1.283 | CHF.12.83 |
| 500 - 990 | CHF.1.182 | CHF.11.78 |
| 1000 + | CHF.1.131 | CHF.11.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-447
- Herst. Teile-Nr.:
- STS1DNC45
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
Standardkontur für einfache automatisierte Montage an der Oberflächenmontage
Gate-Ladung minimiert
Verwandte Links
- STMicroelectronics SuperMESH Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.4 A 2 W, 8-Pin SO-8
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Zener-geschützter SuperMESH-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 3 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 4.4 A, 3-Pin TO-252