STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 6 A 130 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
151-923
Herst. Teile-Nr.:
STW8N120K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

MDmesh K5

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des On-Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

Branchenweit niedrigster RDS(on) x Fläche

Branchenweit bestes FoM

Extrem niedrige Gate-Ladung

100% Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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