STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-926P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.2.667 |
| 100 - 495 | CHF.2.478 |
| 500 - 995 | CHF.2.268 |
| 1000 + | CHF.2.195 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-926P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 6.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche
Bestes FoM der Branche
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
Zenergeschützt