STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 3 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-930
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*
CHF.23.02
Auf Lager
- 2'420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.1.151 | CHF.23.09 |
| 200 - 480 | CHF.1.091 | CHF.21.90 |
| 500 - 980 | CHF.1.02 | CHF.20.32 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.929 | CHF.18.67 |
| 2000 + | CHF.0.899 | CHF.18.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-930
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5NK40ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten, auf Streifen basierenden Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
100 % Avalanche-getestet
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Zenergeschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 3 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 5.4 A 70 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 4.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1000 V / 85 A 70 W, 3-Pin TO-252