STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 3 A, 3-Pin STD5NK40ZT4 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*

CHF.23.32

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2’420 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
20 - 180CHF.1.166CHF.23.37
200 - 480CHF.1.113CHF.22.18
500 - 980CHF.1.029CHF.20.56
1000 - 1980CHF.0.945CHF.18.90
2000 +CHF.0.914CHF.18.23

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-930
Herst. Teile-Nr.:
STD5NK40ZT4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.6 mm

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten, auf Streifen basierenden Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

100 % Avalanche-getestet

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zenergeschützt

Verwandte Links