STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-113
- Herst. Teile-Nr.:
- SH63N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.24.959
Auf Lager
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.24.96 |
| 10 - 99 | CHF.22.47 |
| 100 + | CHF.20.72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-113
- Herst. Teile-Nr.:
- SH63N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.55V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 424W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AQG 324 | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.55V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 424W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AQG 324 | ||
Automobilstandard AEC | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für eine einfache Montage. Dank des DBC-Substrats bietet das ACEPACK SMIT-Gehäuse einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.
AQG 324 qualifiziert
Halbbrücken-Stromversorgungsmodul
650 V Blockierungsspannung
Schnell erholende Body-Diode
Sehr niedrige Schaltenergie
Geringe Gehäuseinduktivität
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 64 A, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 32 A, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 480 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 60 A ACEPACK SMIT 1200 V, Gate-Trigger 50 mA 525 A 10 V
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MDmesh V Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W,
- STMicroelectronics DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 250 W, 3-Pin TO-247