STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 83 A 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-183P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 152-183P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | HB | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 456nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Automotive-grade | |
| Länge | 25.2mm | |
| Breite | 33.2mm | |
| Höhe | 4.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie HB | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 456nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Automotive-grade | ||
Länge 25.2mm | ||
Breite 33.2mm | ||
Höhe 4.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.
AQG 324 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat