DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.7 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 154-958
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXM61N02FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.925
Auf Lager
- 125 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 44’950 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | CHF.0.357 | CHF.8.95 |
| 150 - 725 | CHF.0.21 | CHF.5.15 |
| 750 - 1475 | CHF.0.189 | CHF.4.78 |
| 1500 + | CHF.0.189 | CHF.4.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 154-958
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXM61N02FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 806mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 806mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.7 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.6 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP6A13F Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23