DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 500 mA 2 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 155-135
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN2110GTA
- Marke:
- DiodesZetex
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- 155-135
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- ZVN2110GTA
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.65mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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