Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 300 A 268 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-297
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR60-25YLHX
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1500 Stück)*
CHF.2’757.00
Auf Lager
- Zusätzlich 1’500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | CHF.1.838 | CHF.2’762.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-297
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR60-25YLHX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 268W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 268W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für niedrige RDSon, niedrige IDSS-Leckage selbst bei hohen Temperaturen, hohen Wirkungsgrad und hohe Strombehandlung optimiert. Es ist ideal für DC-Lastschalter und Hot-Swap-Anwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap, E-Sicherung, Power OR-ing, DC/Last-Schaltung, Batterieschutz und Bürsten-/BLDC-Motorsteuerung.
Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit
Qualifiziert für 175 °C
Wave-Lötfähig
Verwandte Links
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 300 A 268 W, 5-Pin PSMNR60-25YLHX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 380 A 333 W, 5-Pin PSMNR51-25YLHX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 330 A 268 W, 5-Pin PSMNR82-30YLEX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 320 A 268 W, 5-Pin PSMNR90-40YSNX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 300 A 238 W, 5-Pin PSMN0R9-25YLDX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 238 W, 5-Pin PSMN1R0-30YLDX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 300 A 333 W, 5-Pin PSMNR90-40YLHX LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 70 A 74 W, 5-Pin PSMN2R0-25MLDX LFPAK