Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 405 W, 4-Pin LFPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.39.39

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 784 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 02. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
10 - 99CHF.3.94
100 +CHF.3.64

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-348P
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R7-100BSEJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

405W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

176nC

Betriebstemperatur min.

25°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich. Er ist für Hot-Swap-Controller optimiert und ist in der Lage, hohen Einschaltströmen standzuhalten und I2R-Verluste für eine verbesserte Effizienz zu minimieren. Zu den Anwendungen gehören Heißaustausch, Lastumschaltung, Sanftanlauf und E-Sicherung.

SOA für überlegenen linearen Betrieb

LFPAK88-Gehäuse für Anwendungen, die höchste Leistung erfordern

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.