Nexperia PSM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 300 A 333 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-354P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR90-40YLHX
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 29.30 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 35.15
Auf Lager
- Zusätzlich 1'488 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 10 - 99 | CHF 3.52 | - |
| 100 - 499 | CHF 3.22 | CHF 29.30 |
| 500 - 999 | CHF 2.99 | CHF 262.50 |
| 1000 + | CHF 2.69 | CHF 828.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-354P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR90-40YLHX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.94mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.94mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Das Gehäuse ist für 175 °C qualifiziert. Er wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Automatisierung, Robotik, DC/DC-Wandler, bürstenlose DC-Motorsteuerung, industrielle Lastschaltung, eFuse und Einschaltmanagement.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung