Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 185 A 124 W, 5-Pin LFPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.21.92

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
10 - 99CHF.2.19
100 - 499CHF.2.02
500 - 999CHF.1.89
1000 +CHF.1.69

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-387P
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R6-25YLEX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

124W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia in einem LFPAK56-Gehäuse ist für niedrige RDS(on) und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap in 12-V- bis 20-V-Systemen, E-Sicherung, DC-Schalter, Lastschalter und Batterieschutz.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.