Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 65 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-413
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN075-100MSEX
- Marke:
- Nexperia
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- 219-413
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- PSMN075-100MSEX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 71mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEEE802.3at, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 71mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEEE802.3at, RoHS | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wurde entwickelt, um die nächste Generation von Power-over-Ethernet-Systemen zu unterstützen, die bis zu 100 W an jedes mit Strom versorgte Gerät liefern können. Er erfüllt die erhöhten Anforderungen von Anwendungen wie Großbild-LCD-Displays, 3G/4G/Wi-Fi-Hotspots und Pan-Tilt-Zoom-CCTV-Kameras. Mit fortschrittlichen Funktionen für Sanftstartverfahren, Kurzschlussfestigkeit, thermisches Management und hoher Leistungsdichte sorgt er für eine zuverlässige und effiziente Leistung von Stromversorgungsgeräten in anspruchsvollen Umgebungen.
Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus
Niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste
Ultrazuverlässiges LFPAK33-Gehäuse
Sehr niedriger IDSS
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