Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 280 A 198 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-424
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R0-40YLDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

198W

Gate-Source-spannung max Vgs

4.5 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Avalanche bewertet

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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