Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 238 W, 5-Pin LFPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.21.95

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
10 - 99CHF.2.20
100 - 499CHF.2.02
500 - 999CHF.1.87
1000 +CHF.1.68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-432P
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-40YSDX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie, die für Hochleistungs-Leistungsschaltungen optimiert ist. Es ist ideal für Anwendungen wie synchrone Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Server-Netzteile, bürstenlose DC-Motorsteuerung, Batterieschutz und Einschaltmanagement.

Lawinengeprüft, 100 % geprüft

Starke SOA-Einstufung

Belichtete Drähte können mit Wellenlöten gelötet werden

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand