Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 120 A 401 W, 5-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 219-444
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-30BLEJ
- Marke:
- Nexperia
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- 219-444
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- PSMN1R5-30BLEJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 228nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 401W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 228nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 401W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia Logic Level ist in einem D2PAK-Gehäuse untergebracht und für den Betrieb bis zu 175 °C qualifiziert. Er wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt und bietet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus
Sehr niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste
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