Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 240 A 341 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-458P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R3-80SSFJ
- Marke:
- Nexperia
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 219-458P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R3-80SSFJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 240A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | PSM | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Ha-free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie PSM | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Ha-free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET ist für den Betrieb bis zu 175°C qualifiziert und eignet sich ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören die synchrone Gleichrichtung in AC-DC- und DC-DC-Wandlern, primärseitiges Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Voll- und Halbbrückenschaltungen und Batterieschutz.
Starke Lawinen-Energie-Einstufung
Lawinengeprüft und 100% getestet
Ha frei und RoHS-konform