Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 425 A 375 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-468
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR70-40SSHJ
- Marke:
- Nexperia
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- 219-468
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- PSMNR70-40SSHJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 425A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PSM | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 144nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 8 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 425A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PSM | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 144nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 8 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET des NextPowerS3-Portfolios nutzt die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP und bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spiking-Performance, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode assoziiert wird, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Schaltfrequenzen.
Geringe parasitäre Induktivität und Widerstand
Avalanche bewertet
Wellenlötfähig
Superschnelles Umschalten mit sanfter Wiederherstellung
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