Nexperia NextPower-S3 technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 238 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-473
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R4-40YLDX
- Marke:
- Nexperia
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- 219-473
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- PSMN1R4-40YLDX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 240A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | NextPower-S3 technology | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 238W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie NextPower-S3 technology | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 238W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Dieses Produkt wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt und qualifiziert. Er wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, einschließlich synchroner Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Server-Netzteile, bürstenlose DC-Motorsteuerung und Batterieschutz. Es bietet eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Stromverwaltungsaufgaben.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung
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