onsemi NTBL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-562P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 220-562P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTBL | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 10.38mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTBL | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6V | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 10.38mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform