onsemi NTBL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-564P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL075N065SC1
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 220-564P
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- NTBL075N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 85mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.38mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 9.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 85mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 4.4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.38mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 9.9mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform