onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 600 V / 13 A 89 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-565
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD280N60S5Z
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.15.33
Auf Lager
- 2’475 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.066 | CHF.15.31 |
| 50 - 95 | CHF.2.909 | CHF.14.54 |
| 100 - 495 | CHF.2.699 | CHF.13.48 |
| 500 - 995 | CHF.2.489 | CHF.12.42 |
| 1000 + | CHF.2.394 | CHF.11.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-565
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD280N60S5Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | NTD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 224mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie NTD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 224mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die MOSFET-Easy-Drive-Serie von ON Semiconductor bietet eine hervorragende Schaltleistung ohne Abstriche bei der Benutzerfreundlichkeit und bei EMI-Problemen sowohl für harte als auch für weiche Schalttopologien.
Halogenfrei
RoHS-konform
Verwandte Links
- onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 74 W, 3-Pin TO-252
- onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 74 W, 3-Pin NTD20N03L27T4G TO-252
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 16 A 89 W, 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 16 A 89 W, 3-Pin FDD18N20LZ TO-252
- onsemi NTD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin TO-252
- onsemi NTD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin NTD5C632NLT4G TO-252
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-252