onsemi NXH N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 149 A 34.2 W, 34-Pin PIM34
- RS Best.-Nr.:
- 220-577P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH007F120M3F2PTHG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 220-577P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH007F120M3F2PTHG
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 149A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NXH | |
| Gehäusegröße | PIM34 | |
| Pinanzahl | 34 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 407nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 149A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NXH | ||
Gehäusegröße PIM34 | ||
Pinanzahl 34 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 407nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ON Semiconductor MOSFET ist ein Leistungsmodul mit einer 7 mOhm / 1200 V SiC MOSFET Halbbrücke und einem Thermistor mit HPS DBC in einem F2-Gehäuse.
Halogenfrei
RoHS-konform