onsemi NTMFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 164 A 104 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 220-586P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 220-586P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 164A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 164A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor MOSFET mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie in 5x6mm für Platzersparnis und hervorragende Wärmeleitung.
RoHS-konform
Pb-frei und halogenfrei/BFR-frei