onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 380 A 150 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-590
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D6N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.7.30
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.46 | CHF.7.32 |
| 50 - 95 | CHF.1.386 | CHF.6.95 |
| 100 - 495 | CHF.1.292 | CHF.6.44 |
| 500 - 995 | CHF.1.187 | CHF.5.93 |
| 1000 + | CHF.1.145 | CHF.5.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-590
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D6N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 380A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 380A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Halogenfrei
RoHS-konform
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