onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 323 A 134 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 220-593P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.52.00
Auf Lager
- 1'500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.1.04 |
| 100 - 495 | CHF.0.96 |
| 500 - 995 | CHF.0.889 |
| 1000 + | CHF.0.848 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-593P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 323A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 134W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 323A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 134W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Halogenfrei
RoHS-konform