ROHM QH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-562P
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KE5TCR
- Marke:
- ROHM
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- 264-562P
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- QH8KE5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | QH8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 202mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie QH8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 202mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM 100V 2,0A Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TSMT8-Gehäuse ist für hocheffiziente Schaltnetzteile und Motorantriebsanwendungen konzipiert.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines Oberflächenmontagegehäuse TSMT8
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei