ROHM SH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 8 A 2 W, 6-Pin SOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8KE7TB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.1.355 |
| 100 - 495 | CHF.1.25 |
| 500 - 995 | CHF.1.155 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8KE7TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SH8 | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Halogen Free | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SH8 | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Halogen Free | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand ist ideal für Schalt- und Motorantriebe. Dieses Produkt enthält zwei 100V Nch MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8).
Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse (SOP8)
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Halogenfrei