ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 21 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-757P
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8KC6TB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.1.985 |
| 100 - 495 | CHF.1.838 |
| 500 - 995 | CHF.1.701 |
| 1000 + | CHF.1.628 |
*Richtpreis
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- 264-757P
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- HP8KC6TB1
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HP8 | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HP8 | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
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