ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 120 A 135 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 264-884P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P07CBHTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 198 | CHF 2.626 |
| 200 - 998 | CHF 2.424 |
| 1000 - 1998 | CHF 2.252 |
| 2000 + | CHF 1.828 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-884P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P07CBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73.0nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73.0nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Nch 100V 120A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.
Geringer Durchlasswiderstand
Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
100% UIS-geprüft