ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

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Herst. Teile-Nr.:
RH6N040BHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist ein hochmoderner Halbleiter, der für eine außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde. Diese Komponente zeichnet sich durch ein leistungsstarkes, kleines Gehäuse aus, das den Platzbedarf optimiert, ohne die Funktionalität zu beeinträchtigen. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand sorgt er für ein effizientes Energiemanagement und eignet sich daher perfekt für den Einsatz in Motorantrieben und DC/DC-Wandlern.

Hohe Leistungskapazität für anspruchsvolle Anwendungen

Getestet auf robuste Gate-Ladungseigenschaften, die die Schaltleistung verbessern

Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich Motorantriebe

Umfassende Höchstwerte sorgen für Vertrauen in die Betriebsgrenzen

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