ROHM R65 Typ N-Kanal 1 MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-310P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-310P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | R65 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie R65 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Hochleistungs-Kleinformgehäuse
Geringer Durchlasswiderstand
100 Prozent Rg- und UIS-getestet