ROHM R65 N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-310P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-310P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | R65 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie R65 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Hochleistungs-Kleinformgehäuse
Geringer Durchlasswiderstand
100 Prozent Rg- und UIS-getestet