ROHM SH8 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2 W, 8-Pin SOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-324P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MC4TB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-324P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MC4TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Serie | SH8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 96mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Serie SH8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 96mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. In einem kompakten SOP8-Format für die Oberflächenmontage bietet er eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.
RoHS-Konformität
Pb-freie Bleibeschichtung
Halogenfrei
100 Prozent Rg und UIS getestet