ROHM SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 265-379P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3160KWATL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 208mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 208mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter SiC-Graben-MOSFET für die Automobilindustrie. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen, die eine effiziente und zuverlässige Leistung erfordern.
RoHS-Konformität
Pb-freie Bleibeschichtung
Schnelle Rückgewinnung
Leicht zu parallelisieren
Einfach zu fahren