ROHM RV7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 1.1 W, 3-Pin DFN1212-3

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Herst. Teile-Nr.:
RV7L020GNTCR1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN1212-3

Serie

RV7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

157mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2mm

Höhe

0.5mm

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist für Schalt- und Lastschaltanwendungen konzipiert. Untergebracht in einem bleifreien, ultrakleinen SMD-Kunststoffgehäuse von 1,2x1,2x0,5 mm mit einem freiliegenden Drain-Pad, bietet er eine hervorragende Wärmeleitung und gewährleistet eine effiziente Leistung in kompakten elektronischen Designs.

RoHS-Konformität

Geringer Widerstand

Pb-freie Bleibeschichtung

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