ROHM RQ5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- RS Best.-Nr.:
- 265-473P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5L045BGTCL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 265-473P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5L045BGTCL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSMT-3 | |
| Serie | RQ5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSMT-3 | ||
Serie RQ5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Power MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, was ihn für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler äußerst effizient macht. Sein Design gewährleistet optimale Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen.
RoHS-Konformität
Geringer Widerstand
Pb-freie Beschichtung
Halogenfrei
100 Prozent Rg und UIS getestet
Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse