onsemi NXH N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 42 A 100 W, 18-Pin PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-056P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH030P120M3F1PTG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | NXH | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie NXH | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform