Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin PG-WSON-8

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Herst. Teile-Nr.:
BSC009N04LSSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um eine außergewöhnliche Leistung zu bieten, womit er eine ideale Wahl für industrielle Anwendungen ist. Durch das beidseitig gekühlte Gehäuse zeichnet sich dieser Baustein durch eine hohe thermische Beständigkeit aus, die auch unter schwierigen Bedingungen eine optimale Leistung gewährleistet. Dieser MOSFET ist vollständig nach JEDEC-Normen qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit und Stabilität unterstreicht. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175°C unterstützt er erweiterte Betriebsbereiche und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen, die eine robuste Leistung erfordern. Umfassende elektrische Kenndaten bestätigen sein Design für die synchrone Gleichrichtung und machen es zu einer zukunftsweisenden Lösung für moderne elektronische Anforderungen.

Beidseitige Kühlung für thermische Effizienz

Niedriger Widerstand minimiert Energieverluste

Hohe Sperrschichttemperatur für lange Lebensdauer

100 Prozent lawinengeprüft und zuverlässig

Pb-freie und RoHS-konforme Standards

Halogenfreie Konstruktion reduziert den Platzbedarf

Qualifiziert für industrielle Anwendungen und JEDEC-Standards

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